PNa定位_PNA定位

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文章导读:

请求DOS全套的命令符及解说

DOS命令大全

一)MD——建立子目录

1.功能:创建新的子目录

2.类型:内部命令

3.格式:MD[盘符:][路径名]〈子目录名〉

4.使用说明:

(1)“盘符”:指定要建立子目录的磁盘驱动器字母,若省略,则为当前驱动器;

(2)“路径名”:要建立的子目录的上级目录名,若缺省则建在当前目录下。

例:(1)在C盘的根目录下创建名为FOX的子目录;(2)在FOX子目录下再创建USER子目录。

C:、>MD FOX (在当前驱动器C盘下创建子目录FOX)

C:、>MD FOX 、USER (在FOX 子目录下再创建USER子目录)

(二)CD——改变当前目录

1.功能:显示当前目录

2.类型:内部命令

3.格式:CD[盘符:][路径名][子目录名]

4.使用说明:

(1)如果省略路径和子目录名则显示当前目录;

(2)如采用“CD、”格式,则退回到根目录;

(3)如采用“CD.。”格式则退回到上一级目录。

例:(1)进入到USER子目录;(2)从USER子目录退回到子目录;(3)返回到根目录。

C:、>CD FOX 、USER(进入FOX子目录下的USER子目录)

C:、FOX、USER>CD.。 (退回上一级根目录)

C:、FOX>CD、 (返回到根目录)

C:、>

(三)RD——删除子目录命令

1.功能:从指定的磁盘删除了目录。

2.类型:内部命令

3.格式:RD[盘符:][路径名][子目录名]

4.使用说明:

(1)子目录在删除前必须是空的,也就是说需要先进入该子目录,使用DEL(删除文件的命令)将其子目录下的文件删空,然后再退回到上一级目录,用RD命令删除该了目录本身;

(2)不能删除根目录和当前目录。

例:要求把C盘FOX子目录下的USER子目录删除,操作如下:

第一步:先将USER子目录下的文件删空;

C、>DEL C:、FOX、USER、*。*

第二步,删除USER子目录。

C、>RD C:、FOX、USER

(四)DIR——显示磁盘目录命令

1.功能:显示磁盘目录的内容。

2.类型:内部命令

3.格式:DIR [盘符][路径][/P][/W]

4.

使用说明:/P的使用;当欲查看的目录太多,无法在一屏显示完屏幕会一直往上卷,不容易看清,加上/P参数后,屏幕上会分面一次显示23行的文件信息,然后暂停,并提示;Press

any key to continue

/W的使用:加上/W只显示文件名,至于文件大小及建立的日期和时间则都省略。加上参数后,每行可以显示五个文件名。

PATH——路径设置命令

1.功能:设备可执行文件的搜索路径,只对文件有效。

2.类型:内部命令

3.格式:PATH[盘符1]目录[路径名1]{[;盘符2:],〈目录路径名2〉…}

4.使用说明:

(1)当运行一个可执行文件时,DOS会先在当前目录中搜索该文件,若找到则运行之;若找不到该文件,则根据PATH命令所设置的路径,顺序逐条地到目录中搜索该文件;

(2)PATH命令中的路径,若有两条以上,各路径之间以一个分号“;”隔开;

(3)PATH命令有三种使用方法:

PATH[盘符1:][路径1][盘符2:][路径2]…(设定可执行文件的搜索路径) PATH:(取消所有路径)

PATH:(显示目前所设的路径)

(六)TREE——显示磁盘目录结构命令

1.功能:显示指定驱动器上所有目录路径和这些目录下的所有文件名。

2.类型:外部命令

3.格式:TREE[盘符:][/F][》PRN]

4.使用说明:

(1)使用/F参数时显示所有目录及目录下的所有文件,省略时,只显示目录,不显示目录下的文件;

(2)选用>PRN参数时,则把所列目录及目录中的文件名打印输出。

(七)DELTREE——删除整个目录命令

1.功能:将整个目录及其下属子目录和文件删除。

2.类型:外部命令

3.格式:DELTREE[盘符:]〈路径名〉

4.使用说明:该命令可以一步就将目录及其下的所有文件、子目录、更下层的子目录一并删除,而且不管文件的属性为隐藏、系统或只读,只要该文件位于删除的目录之下,DELTREE都一视同仁,照删不误。使用时务必小心!!!

五、磁盘操作类命令

(一)formAT——磁盘格式化命令

1.功能:对磁盘进行格式化,划分磁道和扇区;同时检查出整个磁盘上有无带缺陷的磁道,对坏道加注标记;建立目录区和文件分配表,使磁盘作好接收DOS的准备。

2.类型:外部命令

3.格式:formAT〈盘符:〉[/S][/4][/Q]

4.使用说明:

(1)命令后的盘符不可缺省,若对硬盘进行格式化,则会如下列提示:WARNING:ALL DATA ON NON

——REMOVABLE DISK

DRIVE C:WILL BE LOST !

Proceed with format (Y/N)?

(警告:所有数据在C盘上,将会丢失,确实要继续格式化吗?)

(2)若是对软盘进行格式化,则会如下提示:Insert mew diskette for drive A;

and press ENTER when ready…

(在A驱中插入新盘,准备好后按回车键)。

(3)选用[/S]参数,将把DOS系统文件IO.SYS

、MSDOS.SYS及COMMAND.COM复制到磁盘上,使该磁盘可以做为DOS启动盘。若不选用/S参数,则格式化后的磙盘只能读写信息,而不能做为启动盘;

(4)选用[/4]参数,在1.2MB的高密度软驱中格式化360KB的低密度盘;

(5)选用[/Q]参数,快速格式化,这个参数并不会重新划分磁盘的磁道貌岸然和扇区,只能将磁盘根目录、文件分配表以及引导扇区清成空白,因此,格式化的速度较快。

(6)选用[/U]参数,表示无条件格式化,即破坏原来磁盘上所有数据。不加/U,则为安全格式化,这时先建立一个镜象文件保存原来的FAT表和根目录,必要时可用UNFORRMAT恢复原来的数据。

(二)UNformAT恢复格式化命令

1.功能:对进行过格式化误操作丢失数据的磁盘进行恢复。

2.类型:外部命令

3.格式:UNformAT〈盘符〉[/L][/U][/P][/TEST]

4.使用说明:用于将被“非破坏性”格式化的磁盘恢复。根目录下被删除的文件或子目录及磁盘的系统扇区(包括FAT、根目录、BOOT扇区及硬盘分区表)受损时,也可以用UNformAT来抢救。

(1)选用/L参数列出找到的子目录名称、文件名称、大孝日期等信息,但不会真的做formAT工作。

(2)选用/P参数将显示于屏幕的报告(包含/L参数所产生的信息)同时也送到打印机。运行时屏幕会显示:“Print out will

be sent to LPT1”

(3)选用/TEST参数只做模拟试验(TEST)不做真正的写入动作。使用此参数屏幕会显示:“Simulation only”

(4)选用/U参数不使用MIRROR映像文件的数据,直接根据磁盘现状进行UNformAT。

(5)选用/PSRTN;修复硬盘分区表。

若在盘符之后加上/P、/L、/TEST之一,都相当于使用了/U参数,UNformAT会“假设”此时磁盘没有MIRROR映像文件。

注意:UNformAT对于刚formAT的磁盘,可以完全恢复,但formAT后若做了其它数据的写入,则UNformAT就不能完整的救回数据了。UNformAT并非是万能的,由于使用UNformAT会重建FAT与根目录,所以它也具有较高的危险性,操作不当可能会扩大损失,如果仅误删了几个文件或子目录,只需要利用UNDELETE就够了。

三) CHKDSK——检查磁盘当前状态命令

1.功能:显示磁盘状态、内存状态和指定路径下指定文件的不连续数目。

2.类型:外部命令

3.格式:CHKDSK [盘符:][路径][文件名][/F][/V]

4.使用说明:

(1)选用[文件名]参数,则显示该文件占用磁盘的情况;

(2)选[/F]参数,纠正在指定磁盘上发现的逻辑错误;

(3)选用[/V]参数,显示盘上的所有文件和路径。

(四)DISKCOPY——整盘复制命令

1.功能:复制格式和内容完全相同的软盘。

2.类型:外部命令

3.格式:DISKCOPY[盘符1:][盘符2:]

4.使用说明:

(1)如果目标软盘没有格式化,则复制时系统自动选进行格式化。

(2)如果目标软盘上原有文件,则复制后将全部丢失。

(3)如果是单驱动器复制,系统会提示适时更换源盘和目标盘,请操作时注意分清源盘和目标盘。

(五)LABEL——建立磁盘卷标命令

1.功能:建立、更改、删除磁盘卷标。

2.类型:外部命令

3.格式:LABEL[盘符:][卷标名]

4.使用说明:

(1)卷标名为要建立的卷标名,若缺省此参数,则系统提示键入卷标名或询问是否删除原有的卷标名;

(2)卷标名由1至11个字符组成。

(六)VOL——显示磁盘卷标命令

1.功能:查看磁盘卷标号。

2.类型:内部命令

3.格式:VOL[盘符:]

4.使用说明:省略盘符,显示当前驱动器卷标。

(七)SCANDISK——检测、修复磁盘命令

1.功能:检测磁盘的FAT表、目录结构、文件系统等是否有问题,并可将检测出的问题加以修复。

2.类型:外部命令

3.格式:SCANDISK[盘符1:]{[盘符2:]…}[/ALL]

4.使用说明:

(1)CCANDISK适用于硬盘和软盘,可以一次指定多个磁盘或选用[/ALL]参数指定所有的磁盘;

(2)可自动检测出磁盘中所发生的交叉连接、丢失簇和目录结构等逻辑上的错误,并加以修复。

(八)DEFRAG——重整磁盘命令

1.。功能:整理磁盘,消除磁盘碎块。

2.类型:外部命令

3.格式:DEFRAG[盘符:][/F]

4.使用说明:选用/F参数,将文件中存在盘上的碎片消除,并调整磁盘文件的安排,确保文件之间毫无空隙。从而加快读盘速度和节省磁盘空间。

(九)SYS——系统复制命令

1.功能:将当前驱动器上的DOS系统文件IO.SYS,MSDOS.SYS和COMMAND.COM 传送到指定的驱动器上。

2.类型:外部命令

3.格式:SYS[盘符:]

*使用说明:如果磁盘剩余空间不足以存放系统文件,则提示:No roomfor on destination disk.

文件操作类命令

(一) COPY文件复制命令

1.功能:拷贝一个或多个文件到指定盘上。

2.类型:内部命令

3.格式:COPY [源盘][路径]〈源文件名〉[目标盘][路径][目标文件名]

4.使用说明:

(1)COPY是文件对文件的方式复制数据,复制前目标盘必须已经格式化;

(2)复制过程中,目标盘上相同文件名称的旧文件会被源文件取代;

(3)复制文件时,必须先确定目标般有足够的空间,否则会出现;insufficient的错误信息,提示磁盘空间不够;

(4)文件名中允许使用通配举“*”“?”,可同时复制多个文件;

(5)COPY命令中源文件名必须指出,不可以省略。

(6)复制时,目标文件名可以与源文件名相同,称作“同名拷贝”此时目标文件名可以省略;

(7)复制时,目标文件名也可以与源文件名不相同,称作“异名拷贝”,此时,目标文件名不能省略;

(8)复制时,还可以将几个文件合并为一个文件,称为“合并拷贝”,格式如下:COPY;[源盘][路径]〈源文件名1〉〈源文件名2〉…[目标盘][路径]〈目标文件名〉;

(9)利用COPY命令,还可以从键盘上输入数据建立文件,格式如下:COPY CON [盘符:][路径]〈文件名〉;

(10)注意:COPY命令的使用格式,源文件名与目标文件名之间必须有空格!

(二)XCOPY——目录复制命令

1.功能:复制指定的目录和目录下的所有文件连同目录结构。

2.类型:外部命令

3.格式:XCOPY [源盘:]〈源路径名〉[目标盘符:][目标路径名][/S][/V][/E]

4.使用说明:

(1)XCOPY是COPY的扩展,可以把指定的目录连文件和目录结构一并拷贝,但不能拷贝隐藏文件和系统文件;

(2)使用时源盘符、源目标路径名、源文件名至少指定一个;

(3)选用/S时对源目录下及其子目录下的所有文件进行COPY。除非指定/E参数,否则/S不会拷贝空目录,若不指定/S参数,则XCOPY只拷贝源目录本身的文件,而不涉及其下的子目录;

(4)选用/V参数时,对的拷贝的扇区都进行较验,但速度会降低。

(三)TYPE——显示文件内容命令

1.功能:显示ASCII码文件的内容。

2.类型:内部命令。

3.格式:TYPE[盘符:][路径]〈文件名〉

4.使用说明:

(1)显示由ASCII码组成的文本文件,对。EXE.COM等为扩展名的文件,其显示的内容是无法阅读的,没有实际意义2;

(2)该命令一次只可以显示一个文件的内容,不能使用通配符;

(3)如果文件有扩展名,则必须将扩展名写上;

(4)当文件较长,一屏显示不下时,可以按以下格式显示;TYPE[盘符:][路径]〈文件名〉|MORE,MORE为分屏显示命令,使用些参数后当满屏时会暂停,按任意键会继续显示。

(5)若需将文件内容打印出来,可用如下格式:

TYPE[盘符:][路径]〈文件名〉,>PRN

此时,打印机应处于联机状态。

(四) REN——文件改名命令

1.功能:更改文件名称

2.类型:内部命令

3.格式:REN[盘符:][路径]〈旧文件名〉〈新文件名〉

4.使用说明:

(1)新文件名前不可以加上盘符和路径,因为该命令只能对同一盘上的文件更换文件名;

(2)允许使用通配符更改一组文件名或扩展名。

(五)FC——文件比较命令

1.功能:比较文件的异同,并列出差异处。

2.类型:外部命令

3.格式:FC[盘符:][路径名]〈文件名〉[盘符:][路径名][文件名][/A][/B][/C][/N]

4.使用说明:

(1)选用/A参数,为ASCII码比较模式;

(2)选用/B参数,为二进制比较模式;

(3)选用/C参数,将大小写字符看成是相同的字符。

(4)选用/N参数,在ASCII码比较方式下,显示相异处的行号。

(六)ATTRIB——修改文件属性命令

1.功能:修改指定文件的属性。(文件属性参见2.5.4(二)文件属性一节)

2.类型:外部命令。

3.格式:ATTRIB[文件名][R][——R][A][——A][H][——H][——S]

4.使用说明:

(1)选用R参数,将指定文件设为只读属性,使得该文件只能读取,无法写入数据或删除;选用——R参数,去除只读属性;

(2)选用A参数,将文件设置为档案属性;选用——A参数,去除档案属性; (3)选用H参数,将文件调协为隐含属性;选用——H参数,去隐含属性;

(4)选用S参数,将文件设置为系统属性;选用——S参数,去除系统属性; (5)选用/S参数,对当前目录下的所有子目录及作设置。

七) DEL——删除文件命令

1.功能:删除指定的文件。

2.类型:内部命令

3.格式:DEL[盘符:][路径]〈文件名〉[/P]

4.使用说明:

(1)选用/P参数,系统在删除前询问是否真要删除该文件,若不使用这个参数,则自动删除;

(2)该命令不能删除属性为隐含或只读的文件;

(3)在文件名称中可以使用通配符;

(4)若要删除磁盘上的所有文件(DEL*·*或DEL·),则会提示:(Arey ou sure?)(你确定吗?)若回答Y,则进行删除,回答N,则取消此次删除作业。

(八) UNDELETE——恢复删除命令

1.功能:恢复被误删除命令

2.类型:外部命令。

3.格式:UNDELETE[盘符:][路径名]〈文件名〉[/DOS]/LIST][/ALL]

4.使用说明:使用UNDELETE可以使用“*”和“?”通配符。

(1)选用/DOS参数根据目录里残留的记录来恢复文件。由于文件被删除时,目录所记载斩文件名第一个字符会被改为E5,DOS即依据文件开头的E5和其后续的字符来找到欲恢复的文件,所以,UNDELETE会要求用户输入一个字符,以便将文件名字补齐。但此字符不必和原来的一样,只需符合DOS的文件名规则即可。

(2)选用/LIST只“列出”符合指定条件的文件而不做恢复,所以对磁盘内容完全不会有影响。

(3)选用/ALL自动将可完全恢复的文件完全恢复,而不一一地询问用户,使用此参数时,若UNDELTE利用目录里残留的记录来将文件恢复,则会自动选一个字符将文件名补齐,并且使其不与现存文件名相同,选用字符的优选顺序为:#%——0000123456789A~Z。

UNDELETE还具有建立文件的防护措施的功能,已超出本课程授课范围,请读者在使用些功能时查阅有关DOS手册。

七、其它命令

(一)CLS——清屏幕命令

1功能:清除屏幕上的所有显示,光标置于屏幕左上角。

2类型:内部命令

3格式:CLS

(二) VER查看系统版本号命令

1功能:显示当前系统版本号

2类型:内部命令

3格式:VER

(三) DATA日期设置命令

1功能:设置或显示系统日期。

2类型:内部命令

3格式:DATE[mm——dd——yy]

4使用说明:

(1)省略[mm——dd——yy]显示系统日期并提示输入新的日期,不修改则可直接按回车键,[mm——dd——yy]为“月月——日日——年年”格式;

(2)当机器开始启动时,有自动处理文件(AUTOEXEC.BAT)被执行,则系统不提示输入系统日期。否则,提示输入新日期和时间。

(四) TIME系统时钟设置命令

1功能:设置或显示系统时期。

2类型:内部命令

3格式:TIME[hh:mm:ss:xx]

4使用说明:

(1)省略[hh:mm:ss:xx],显示系统时间并提示输入新的时间,不修改则可直接按回车键,[hh:mm:ss:xx]为“小时:分钟:秒:百分之几秒”格式;

(2)当机器开始启动时,有自动处理文件(AUTOEXEC.BAT)被执行,则系统不提示输入系统日期。否则,提示输入新日期和时间。

(五)MEM查看当前内存状况命令

1功能:显示当前内存使用的情况

2类型:外部命令

3格式:MEM[/C][/F][/M][/P]

4使用说明:

(1)选用/C参数列出装入常规内存和CMB的各文件的长度,同时也显示内存空间的使用状况和最大的可用空间;

(2)选用/F参数分别列出当前常规内存剩余的字节大小和UMB可用的区域及大小;

(3)选用/M参数显示该模块使用内存地地址、大小及模块性质;

(4)选用/P参数指定当输出超过一屏时,暂停供用户查看。

(六) MSD显示系统信息命令

1功能:显示系统的硬件和操作系统的状况。

2类型:外部命令

3格式:MSD[/I][/B][/S]

4使用说明:

(1)选用/I参数时,不检测硬件;

(2)选用/B参数时,以黑白方式启动MSD;

(3)选用/S参数时,显示出简明的系统报告。

钠离子浓度测定?急~~~~~~~~~~~~~~

M198271

数字式钠离子浓度计

使用说明书

五、使用方法

1、使用前的准备

(1)把仪器平放于桌面,支撑好底面支架。

(2)接通电源,仪器先预热30分钟,然后进行测量。

(3)将参比电极,已活化清洗到空白电位-200mV左右,在不加碱时的钠电极,标准NaCl试液,碱性试剂二异丙胺、无钠水、电极架、被测液等准备就绪。

2、操作步骤

(1)“mV”值的测量

①将功能开关③拨至“mV”档,此时仪器工作在测量电压值(mV)状态,仪器定位、温度补偿、斜率校正均不起作用。

②将Q9短路插头旋上后面板插座⑥上并旋紧,调节后面板上“调零”电位器⑾。使仪器显示为“000”。

③旋下短路插头,将准备好测量钠电极插头旋上输入插座⑥并旋紧,同时将参比电极接入参比电极接线座⑨(若使用复合电极无须接入参比电极),并迅速将它们插入被测溶液内。待仪器响应稳定后的显示值即为所得的mV值。

(2)pNa值的测量:在测量溶液pNa值前,为了保证测量精度,我们通常先用两种标准溶液对仪器进行标定,具体操作步骤如下:

①功能开关③置“mV”档,仪器先调零,步骤按第五章第2条第(1)项中①②操作,调零后将功能开关③置pNa档,将温度补偿旋到被测液的温度。

②定位:将参比电极接入参比接线柱⑨,将清洁活化的钠电极旋入输入插座⑥上,并将它们移入第一种标准液(设pNa1=5.OO)溶液中,滴入试剂二异丙胺调节标准pH值在10以上,以防止氢离子干扰。调节定位调节旋钮④,使仪器显示为“0.00”pNa。

③用无钠水冲洗电极,并用滤纸吸干电极表面水份,然后再移入第二种标准液(设pNa2=2.OO)溶液中,滴入试剂二异丙胺,调节标准液pH值在10以上,以防止氢离子干扰。调节斜率校正器旋钮⑤,使仪器显示为△pNa为3.OO(∣△pNa=pNa2-pNa1∣),电极仍处于pNa2中,重新调节定位调节器,使仪器显示pNa2值。

④至此,仪器已标定结束,保持定位调节器,斜率校正器旋钮位置不变,以免影响精度,即可对未知液进行测量。

⑤经过两点定位法标定仪器,其测量结果十分精确。若测量精度不必很高时,可采用一点定位法。即选择较接近被测样品pNa值的标准溶液来进行标定。此时,斜率校正器⑤旅至100%,温度补偿②旋至溶液温度,调节定位调节④,使仪器显示该标准溶液的pNa值,然后即可测量样品。在每次标定或测量中需加入碱性试剂二异丙胺调节溶液中的pH值在10以上,以防止氢离子干扰。

质量摩尔浓度为m的H3PO4溶液,离子平均活度系数为y±则溶液H3PO4的活度aB为

我有一份DWL-51型钠离子浓度计说明书,打印出来,供参考:(不足之处请向购买厂家索取)一、仪器的概述 DWS-51型钠离子浓度计是以测量水溶液中的含Na+量而设计的,特别对电厂高纯水(如蒸汽、凝结水、锅炉给水等)的品质监督更适宜应用,其它对炉子水、天然水等也可以应用。DWS-51型钠离子浓度计是一台全集成电路式高阻抗毫伏计(以下称电计)和PNA复合电极组合而成,当PNA 电极入被测溶液时,在溶液中产生一定的电位,此电位决定于Na+的活度,当此电位输入到电计时,就可在数显表头上直接读出PNA 数并可从表上查得Na+含量。二、仪器的主要技术规范 1. 仪器的测量范围 (1) 电计部分:PNa:0-9;Na+:23g/I-0.023μg/I (2) 配套测量:(按电极性能而定)PNa+:I-7;Na+:2.3g/I-2.3μg/I 2. 仪器的最小分度值:0.01PNa 3. 精度: (1) 电计:≤±0.02PNa/3PNa (2) 配套:±0.05PNa±1个字 4. 仪器使用环境温度:5-40℃、湿度不大于85% 5. 电源电压变化:220V±10% 频度50HZ±1HZ 6. 被测溶液温度范围:0-60℃(手动) 7. 耗电量:<1瓦 8. 体积:长280,宽200,高95 三、仪器的使用方法 PNa 测量:用PNa 玻璃电极测量水溶液的PNa 值,他和PH 值测量的相同点是一样就必须以一个已知的标准液进行定位,也就是定位调节一个相同电压抵消指示电极和参比电极之间的不对称电位,和PH测量不同点是标准PNa溶液无缓冲作用。要防止容器污染,另外特别是氢离子也会引起干扰。因此在测量时要另加碱试剂,如二异丙胺或氢氧化钡。由于这些特点,对测量方法要求比较严格 1. 标准溶液的配制:在一般的实际测定中,各种标准Na+溶液的配制,可不必专门制备高纯水(俗称“无钠水”),选择质量;较好的蒸汽或凝结水,其Na+<5~10微克/升已能满足要求。各种标准液应储放在聚乙烯塑料筒内。新购买的塑料筒应用盐酸处理(浓度约为1:2),然后用蒸馏水多次冲洗干净。各塑料筒应作专用,不宜经常更换不同浓度的标准液(因普通2.5升及6 升的塑料筒,水提柄中为空心,不易清洗干净)。在对蒸汽等低含量的测定中,PNa的定位一般采用PNa4或PNa5溶液。PNa5溶液较为接近于实际测定的含量,但有时因蒸馏水质量不够好,或防止其它原因所引起的污染,故一般较多地采用PNa溶液来定位。 (1) PNa2母液的配制:称取1.1690克经250-300℃干燥1~2小时的化学纯或基准试剂NAC1,溶解于2升蒸馏水中,即为PNa2标准液(即0.01M Na+ 或230PPM Na+ 溶液)。(2)PNa4标准定位液的配制:将上述母液用蒸馏水稀释100倍即为PNa4 定位液(即0.0001M Na+ 或2.3ppm Na+ 溶液)。必要时可将上述母液稀释成各种不同浓度的Na+溶液。 7. 仪器在测量低于PNa3 时,应修正活度系数,PNa3 应是3.015、PNa2 应是2.045、PnaI 应是1.109,尽量应把溶液稀释后测量。五、附录 1. 高纯水(俗称“无钠水”)的制备:仪器用的定位溶液(相似于PH计定位用的缓冲溶液)或检验其线性用的标准盐溶液,都需要用高纯度的“无钠水”来配制。制备高纯水用的盛水容器以及测试用的杯子、量具等均用聚乙烯或有机玻璃等材料制成,一般需要用一升塑料瓶,5-20升聚乙烯水箱(需有螺旋盖),250毫升塑料烧杯等,新购塑料用具应用盐酸处理作专用,不用时最好放满纯水。“无钠水”的制备方法是用蒸馏水,通过阳离子(国产732树脂)交换柱,再进入阴离子(717树脂)交换柱,再通过阳阴混合,最后流过阳离子交换柱出水,用PNa计测定Na+约1ppb时(PNa7.5左右)。流经交换柱的速度应慢一点,约10米/小时以上,不宜太快(如流速过快表面上可使导电率读数减小。但用PNa法测定时实际Na+离子反而偏大。原因是高流速时流树脂中的可溶性比例相应降低,交换并不彻底)。制成的“无钠水”应放入专用的塑料水箱内用旋塞盖紧,避免大气及其它污染。 2. PNa-Na+读数的关系表: 表1 四.使用仪器注意事项 1. 新购的PNa 电极或久置不用的电极,需用蘸有四氯化碳和酒精的棉花擦净,再用水冲洗,浸泡在5% 的HCI 中15-20 分钟,然后用蒸馏水洗净,再浸泡在0.01M 的NaCI 溶液中数小时,使电极有良好性能,但不宜浸泡时间过长。 2. 电极敏感膜不要与手指油腻等接触以免污染电极,电极敏感玻璃膜很薄、要注意勿触及硬物、防止破裂。 3. PNa 电极的使用寿命尚无完全结论,按目前使用的情况,一般为壹年至壹年半,如超过此时间尚可应用,但定位时间将大为增加,测定时反应亦较迟钝,一般定位时间超过10 分钟,读数还在缓慢漂动,则说明电极衰老反应迟钝,应更换新电极。 4. 在测定极微量钠含量时,容器及电极的支管的污染往往是造成测量误差的主要原因,因此在每次测量前均要用纯水冲洗干净,然后再用试样(或稀标准液)反复冲洗电极4-5 次(不要用过滤纸去吸电极上的水珠)。每当测定过浓度的溶液,必须将电极仔细清洗干净后,浸在纯水中让其恢复,否则也会对测试结果带来误差。 5. 当水样温度低于20℃ (特别在15℃ 以上时),PNa 的反应数度较慢。因此读数时间要适当延长,并且会增加误差,水温越高反应速度也越快。 6. 如被测溶液为酸性,则应增加二异丙胺或Ba(OH)2 的加入量,使PH值在10.2 左右。在配制PNax4 标准液时,有时会带来少量误差,因此最好固定使用一套较好的量瓶及移液管,并保证清洗干净,不受污染。在精密的测定中(一般不必如此)可用重量法配制,即将2升容量瓶在天平上(应准确至0.1克)称取2000克水,这可避免容量瓶因室温变化等原因所引起的容积误差。 2.碱性试剂的配制:碱性试剂加入的目的是使被测水样PH 达到9.5以上,最好在10.0-10.5的范围内以避免水样中氢离子对PNa 测定造成的干扰。碱性试剂的选择应挑选碱性强、纯度高、其阳离子对PNa 电极无影响的物质以便只要加入极少量即能使水样达到所需的PH 值,目前采用的碱性试剂有二种:0.2M 二异丙胺及饱和氢氧化钡溶液。(1)0.2M 二异并胺溶液:市售试验试剂二异丙胺((CH3)2CNNHCHCCH3)2,(分子量101.19,含量不少于98%,比重d4200.712-0.717,浓度约为6.9M) 3毫升,用蒸馏水或无钠水稀释至100 毫升。储存于塑料小壶中。二异丙胺极易挥发,用后应立即盖紧,特别是浓的二异丙胺应防止浓度改变。稀的二异丙胺不宜配制过多,最好作定期更换。(2)饱和Ba(OH)2 的溶液:Ba(OH)2 试剂中含有较多的Na+ ,故在使用前应再结晶一次。称取分析纯Ba(OH)2.8H2O 约30克,溶解于200毫克蒸馏水或无钠水中,加热溶解,待冷却后取出结成晶部分。将此结晶和另取无钠水混合配制成饱和溶液,盛放于塑料瓶中。待澄清后将表面溶液吸取于塑料小壶中以待使用。(Ba(OH)2.8H2O在15℃时的溶解度为5.6/100毫升水。饱和Ba(OH)2溶液的浓度约为0.18M。)在使用时,100 毫升水样中(中性水样)加入1 滴饱和Ba(OH)2 溶液,pH值可达到10.2 ,同样加入2 滴0.2 M二异丙胺,其pH 为10.0 左右。 3.仪器安电计和测量杯必须放在塑料绝缘板上,周围无交流磁场,仪器电源应良好接地以防止干扰,先将PNa 复合电极的插头插入仪器后面板上的电极插座上,并安装在电极支架上,注意:在使用前应把PNa 复合电极浸泡1-2 小时以活化电极,电极插头要保持清洁干净,切记污物接触。 4. 测量准备(1) PNa/mv 转换开关板至PNa 档上,(2) 温度调节在标准溶液的温度值上,(3) 斜率调节器在100% 处 5. 定位由于Na+ 标准溶液不同于PH 缓冲溶液,它容易受到污染和其它离子干扰,因此在方法上不正确,就会造成很大的人为误差,特别是在定位时要按步骤进行。(1) 按前面溶液配制方法配制PNa4 标准溶液数立升,作定位液,将要用的塑料试杯仔细清洗并编号,使浓度不同的用具不混来使用,以防止污染。(配制好的标准溶液没有加过碱性试剂,则可以预先加好,或在使用时加也可以。碱性试剂是二异丙胺或氢氧化钡,加入后使PH 值在10 左右,以防止氢离子干扰)。(2) 新的玻璃电极可以用四氯化碳擦去支管和插头上的污染物。(3) 检查玻璃电极球泡内溶液和内电极(即银氧化银电极)接触两者之间应无气泡存在。(4) 如定位液未加碱性试剂,则应在清洗好的塑料杯中加入一滴饱和氢氧化钡溶液或二滴0.2M 二异丙胺,再加入定位液约100 毫升,将电极球部清洗,这样重复换溶液清洗三或四次,然后再换PNa4 溶液放在塑料绝缘板上。(5) 把安装好的PNa 复合电极移下,使球泡和甘汞陶瓷芯浸入溶液内,水样不再摇动。(6) 仪器读数逐渐变化,调节定位调节器使读数接近4.00 值,待2-3 分钟后、读数逐渐达到最大值,在1-2 分钟内,没有明显变动或或变小,立即调节定位调节器至4.00。(7) 倒去此定位液再复定位1-2 次,如复定位相差较大,则需继续调整定位器,调节直至复定位后误差不超过PNa4.00±0.02 。 6. 电极的清洗由于电极定位时水样浓度较高,因此在定位过后测量水样含钠量低时,应用蒸馏水或无钠水(加好碱性试剂)对电极进行清洗,(一般要清洗4-5次),清洗到读数值接近被测值左右。 7. 测量(1) 同定位方法,在塑料杯中加入一滴饱和氢氧化钡,再加水样约100毫升。(2) 将电极球部浸入被测溶液中(甘汞陶瓷芯也浸入)。(3) 仪器读数逐渐增大,1-2 分钟达到最大值,读数应读最大值。 8. 二点校正 4~6 条为一点校正的测量方法,使用一种标准溶液(PNa4),而二点校正的测量方法、使用二种标准溶液,例如PNa4和PNa5,校正步骤如下:(1) 清洗PNa 复合电极(同第5条)温度调节器指示溶液的实际温度值选择开关拨至PNa 档。(2) PNa 复合电极浸入第一标准溶液(PNa4),调节定位器使仪器读数为PNa4.00±0.02。(3) 清洗PNa 复合电极(4~5次)。五、附录 PNa与Na+含量的对照表(以Na+的活度系数f=1.00计算) 表2 在实际使用中,读得PNa数的首数,可根据表1的确定其Na+离子含量的数量级,尾数查表2确定其数值。例如:仪表上读出PNa值为3.24,即知道Na+含量应在23ppm和2.3ppm之间,然后尾数查表2,得出:PNa3.24=13.2ppm Na+PNa6.76=4.0ppb Na+ 3. 电极的存放 PNa电极如较长时期不用,究竟是干放还是湿放,目前尚未得出结论,一般的意见是以干放为宜(使用中的电极应用蒸馏水冲洗后干放)。或较稀的溶液中,则初步看来对电极的寿命是不利的。干放的电极在使用前应在PNa4定位液中浸泡1-2小时。

谁知道电脑参数什么意思啊,急要啊,急需要 ,

(虽然有些过时了,但对新人我想会有很大帮助的。您觉的有用,就顶一下吧。)

电脑参数和术语

一、CPU篇

CPU是电脑的心脏,一台电脑所使用的CPU基本决定了这台电脑的性能和档次。CPU发展到了今天,频率已经到了2GHZ。在我们决定购买哪款CPU或者阅读有关CPU的文章时,经常会见到例如外频、倍频、缓存等参数和术语。下面我就把这些常用的和CPU有关的术语简单的给大家介绍一下。

CPU(Central Pocessing Unit)

中央处理器,是计算机的头脑,90%以上的数据信息都是由它来完成的。它的工作速度快慢直接影响到整部电脑的运行速度。CPU集成上万个晶体管,可分为控制单元(Control Unit;CU)、逻辑单元(Arithmetic Logic Unit;ALU)、存储单元(Memory Unit;MU)三大部分。以内部结构来分可分为:整数运算单元,浮点运算单元,MMX单元,L1 Cache单元和寄存器等。

主频

CPU内部的时钟频率,是CPU进行运算时的工作频率。一般来说,主频越高,一个时钟周期里完成的指令数也越多,CPU的运算速度也就越快。但由于内部结构不同,并非所有时钟频率相同的CPU性能一样。

外频

即系统总线,CPU与周边设备传输数据的频率,具体是指CPU到芯片组之间的总线速度。

倍频

原先并没有倍频概念,CPU的主频和系统总线的速度是一样的,但CPU的速度越来越快,倍频技术也就应允而生。它可使系统总线工作在相对较低的频率上,而CPU速度可以通过倍频来无限提升。那么CPU主频的计算方式变为:主频 = 外频 x 倍频。也就是倍频是指CPU和系统总线之间相差的倍数,当外频不变时,提高倍频,CPU主频也就越高。

缓存(Cache)

CPU进行处理的数据信息多是从内存中调取的,但CPU的运算速度要比内存快得多,为此在此传输过程中放置一存储器,存储CPU经常使用的数据和指令。这样可以提高数据传输速度。可分一级缓存和二级缓存。

一级缓存

即L1 Cache。集成在CPU内部中,用于CPU在处理数据过程中数据的暂时保存。由于缓存指令和数据与CPU同频工作,L1级高速缓存缓存的容量越大,存储信息越多,可减少CPU与内存之间的数据交换次数,提高CPU的运算效率。但因高速缓冲存储器均由静态RAM组成,结构较复杂,在有限的CPU芯片面积上,L1级高速缓存的容量不可能做得太大。

二级缓存

即L2 Cache。由于L1级高速缓存容量的限制,为了再次提高CPU的运算速度,在CPU外部放置一高速存储器,即二级缓存。工作主频比较灵活,可与CPU同频,也可不同。CPU在读取数据时,先在L1中寻找,再从L2寻找,然后是内存,在后是外存储器。所以L2对系统的影响也不容忽视。

内存总线速度:(Memory-Bus Speed)

是指CPU与二级(L2)高速缓存和内存之间数据交流的速度。

扩展总线速度:(Expansion-Bus Speed)

是指CPU与扩展设备之间的数据传输速度。扩展总线就是CPU与外部设备的桥梁。

地址总线宽度

简单的说是CPU能使用多大容量的内存,可以进行读取数据的物理地址空间。

数据总线宽度

数据总线负责整个系统的数据流量的大小,而数据总线宽度则决定了CPU与二级高速缓存、内存以及输入/输出设备之间一次数据传输的信息量。

生产工艺

在生产CPU过程中,要进行加工各种电路和电子元件,制造导线连接各个元器件。其生产的精度以微米(um)来表示,精度越高,生产工艺越先进。在同样的材料中可以制造更多的电子元件,连接线也越细,提高CPU的集成度,CPU的功耗也越小。这样CPU的主频也可提高,在0.25微米的生产工艺最高可以达到600MHz的频率。而0.18微米的生产工艺CPU可达到G赫兹的水平上。0.13微米生产工艺的CPU即将面市。

工作电压

是指CPU正常工作所需的电压,提高工作电压,可以加强CPU内部信号,增加CPU的稳定性能。但会导致CPU的发热问题,CPU发热将改变CPU的化学介质,降低CPU的寿命。早期CPU工作电压为5V,随着制造工艺与主频的提高,CPU的工作电压有着很大的变化,PIIICPU的电压为1.7V,解决了CPU发热过高的问题。

MMX(MultiMedia Extensions,多媒体扩展指令集)

英特尔开发的最早期SIMD指令集,可以增强浮点和多媒体运算的速度。

SSE(Streaming SIMD Extensions,单一指令多数据流扩展)

英特尔开发的第二代SIMD指令集,有70条指令,可以增强浮点和多媒体运算的速度。

3DNow!(3D no waiting)

AMD公司开发的SIMD指令集,可以增强浮点和多媒体运算的速度,它的指令数为21条。

二、主板篇

大家喜欢将CPU比作电脑的大脑或心脏,那么电脑主板就可称为电脑的神经系统。主板是一种高科技、高工艺融为一体的集成产品,大家在攒机的时候难免有认知上的迷惑。所以先了解一些主板的基本知识对大家攒机是大有裨益的。下面,我就把主板常用的一些术语简单的给大家解释一下。

主板:

英文“mainboard”,它是电脑中最大的一块电路板,是电脑系统中的核心部件,它的上面布满了各种插槽(可连接声卡/显卡/MODEM/等)、接口(可连接鼠标/键盘等)、电子元件,它们都有自己的职责,并把各种周边设备紧紧连接在一起。它的性能好坏对电脑的总体指标将产生举足轻重的影响。

CPU(Central Processing Unit:中央处理器):

通常也称为微处理器。它被人们称为电脑的心脏。它实际上是一个电子元件,它的内部由几百万个晶体管组成的,可分为控制单元、逻辑单元和存储单元三大部分。其工作原理为:控制单元把输入的指令调动分配后,送到逻辑单元进行处理再形成数据,然后存储到储存器里,最后等着交给应用程序使用。

BIOS(Basic-Input--Output-System基本输入/输出系统):

直译过来后中文名称就是“基本输入输出系统”。它的全称应该是ROM-BIOS,意思是只读存储器基本输入输出系统。其实,它是一组固化到计算机内主板上一个ROM芯片上的程序,它保存着计算机最重要的基本输入输出的程序、系统设置信息、开机上电自检程序和系统启动自举程序。

CMOS:

CMOS是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片,用它来保护当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。现在的厂商们把CMOS程序做到了BIOS芯片中,当开机时就可按特定键进入CMOS设置程序对系统进行设置。所以又被人们叫做BIOS设置。

芯片组(Chipset):

是构成主板电路的核心。一定意义上讲,它决定了主板的级别和档次。它就是“南桥”和“北桥”的统称,就是把以前复杂的电路和元件最大限度地集成在几颗芯片内的芯片组。

北桥:就是主板上离CPU最近的一块芯片,负责与CPU的联系并控制内存、AGP、PCI数据在北桥内部传输。

南桥:主板上的一块芯片,主要负责I/O接口以及IDE设备的控制等。

MCH(memory controller hub):

内存控制器中心,负责连接CPU,AGP总线和内存。

ICH(I/O controller hub):

输入/输出控制器中心,负责连接PCI总线,IDE设备,I/O设备等。

FWH(firmware controller):

固件控制器,主要作用是存放BIOS。

I/O芯片:

在486以上档次的主板,板上都有I/O控制电路。它负责提供串行、并行接口及软盘驱动器控制接口。

PCB:

也就是主板线路板它由几层树脂材料粘合在一起的,内部采用铜箔走线。一般的PCB线路板分有四层,最上和最下的两层是信号层,中间两层是接地层和电源层,将接地和电源层放在中间,这样便可容易地对信号线做出修正。而好的主板的线路板可达到六层,这是由于信号线必须相距足够远的距离,以防止电磁干扰,六层板可能有三个或四个信号层、一个接地层、以及一个或两个电源层,以提供足够的电力供应。

AT板型:

也就是“竖”型板设计,即短边位于机箱后面板。它最初应用于IBM PC/AT机上。AT主板大小为13×12英寸。

Baby-AT板型:

随着电子元件和控制芯片组集成度的大幅提高,也相应的推出了尺寸相对较小的Baby AT主板结构。Baby AT大小为13.5×8.5英寸。

ATX(AT eXternal)板型:

是Intel公司提出的新型主板结构。它的布局是“横”板设计,就象把Baby-AT板型放倒了过来,这样做增加了主板引出端口的空间,使主板可以集成更多的扩展功能。

Micro-ATX板型:

是Intel公司在97年提出的主板结构,主要是通过减少PCI和ISA插槽的数量来缩小主板尺寸的。

AT电源:

是由P8和P9两组接口组成,每个接口分别有六个针脚,支持+5.0V,+12V,-5V,-12V电压,它不支持+3.3V电压。

ATX电源:

ATX电源是ATX主板配套的电源,为此对它增加了一些新作用;一是增加了在关机状态下能提供一组微电流(5V/100MA)供电。二是增加有3.3V低电压输出。

Slot 1:

INTEL专为奔腾II而设计的一种CPU插座,它是一狭长的242针脚的插槽,提供更大的内部传输带宽和CPU性能。

Socker 370:

INETL为赛扬系列而设计的CPU插座,成本降低。支持VRM8.1规格,核心电压2.0V左右。

Socker 370 II:

INETL为Pentium III Coppermine和Celeron II设计的,支持VRM8.4规格,核心电压1.6V左右。

Slot A:

AMD公司为K7系列CPU定做的,外形与Slot 1差不多。

Socket A:

AMD专用CPU插座,462针脚。

Socker 423:

INTEL专用在第一代奔腾IV处理器的插座。

Socket 478:

Willamette内核奔腾IV专用的CPU插座。

SIMM(Single-In-line-Menory-Modules):

一种内存插槽,72线结构。

DIMM(Dual-Inline-Menory-Modules):

一种内存插槽。168线结构。

SDRAM(Synchronous Burst RAM):

同步突发内存。是168线、3.3V电压、带宽64bit、速度可达6ns。是双存储体结构,也就是有两个储存阵列,一个被CPU读取数据的时候,另一个已经做好被读取数据的准备,两者相互自动切换,使得存取效率成倍提高。并且将RAM与CPU以相同时钟频率控制,使RAM与CPU外频同步,取消等待时间,所以其传输速率比EDO DRAM快了13%。SDRAM采用了多体(Bank)存储器结构和突发模式,能传输一整数据而不是一段数据。

DDR RAM(Double Data Rate):

二倍数据速度。它的速度比SDRAM提高一倍,其核心建立在SDRAM的基础上,但在速度和容量上有了提高。对比SDRAM,它使用了更多、更先进的同步电路。而且采用了

DLL(Delay Locked Loop:延时锁定回路)

提供一个数据滤波信号(DataStrobe signal)。当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因此,它的速度是标准SDRAM的两倍。

RDRAM(Rambus DRAM):

是美国RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技术基础上研制的一种存储器。用于数据存储的字长为16位,传输率极速指标为600MHz。以管道存储结构支持交**存取同时执行四条指令。

Direct RDRAM:

是RDRAM的扩展,它使用了同样的RSL,但接口宽度达到16位,频率达到800MHz,效率更高。单个传输率可达到1.6GB/s,两个的传输率可达到3.2GB/s。

ECC(Error Checking and Correcting):

就是检查出错误的地方并予以纠正。

PC133:

因为Intel P III支持133MHz外频,需要有与其相适应的内存带宽,所以就出现了PC133,它的时钟频率达到133MHz,数据传输率为1.066GB/S。

CACHE:

就是缓存,它分为一级缓存和二级缓存。它是为内存和CPU交换数据提供缓冲区的。只所以大部分主板上都有CACHE芯片或插槽,是因其与CPU之间的数据交换要比内存和CPU之间的数据交换快的多。

IDE(Integrated Device Electronics):

一种磁盘驱动器的接口类型,也称为ATA接口。是由Compag和Conner共同开发并由Western Digital公司生产的控制器接口,现已作为一种接口标准被广泛的应用。它最多可连接两个IDE接口设备,允许最大硬盘容量528兆,控制线和数据线合用一根40芯的扁平电缆与硬盘接口卡连接。数据传输率为3.3Mbps-8.33Mbps。

EIDE(Enhanced IDE增强性IDE):

是Pentium以上主板必备的标准接口。主板上通常可提供两个EIDE接口。在Pentium以上主板中,EDIE都集成在主板中。

RAID:

一般称为磁盘阵列,其最主要的用途有二个,一个就是资料备份(Mirroring),或称资料保全,另一个用途就是加速存取(Stripping)。 一般常听到RAID 1就是指备份这个功能,而RAID 0就是加速功能,RAID 0+1就是两者兼具,用白话一点来说,指的就是备份与加速功能。

ULTRA DMA/66:

是一种硬盘接口规范,它的突发数据传输率为66MB/S,而且它可以减少CPU工作负担,有利于提高整体系统效率。

ATA100接口:

就是拥有100MB/秒的接口传输率,使用80针接口电缆,其中有40根地线,可以避免数据收发时的电磁干扰的一种接口标准。ATA 100完全向下兼容传统的IDE,包括PIO、ATA/33、ATA/66等。

PCI总线(Peripheral Component Interconnect:外部设备互连):

属于局部总线是由PCI集团推出的总线结构。它具有133MB/S的数据传输率及很强的带负载能力,可支持10台外设,同时兼容ISA、EISA总线。

AGP插槽(Accelerated-Graphics-Port:加速图形端口):

它是为提高视频带宽而设计的总线结构。它将显示卡与主板的芯片组直接相连,进行点对点传输。但是它并不是正规总线,因它只能和AGP显卡相连,故不具通用和扩展性。其工作的频率为66MHz,是PCI总线的一倍,并且可为视频设备提供528MB/S的数据传输率。所以实际上就是PCI的超集。

AGP 1X/2X/4X:

AGP 1X的总线传输率为266MB/s,工作频率为66MHz,AGP 2X的总线传输率为532MB/s,工作频率为133MHz,电压为3.3V,AGP 4X的总线传输率为1.06GB/s,工作频率为266MHz,电压为1.5V。

AMR(Audio/Modem Riser声音/调制解调器插卡):

是一套开放的工业标准,它定义的扩展卡可同时支持声音及Modem的功能。采用这样的设计,可有效降低成本,同时解决声音与Modem子系统目前在功能上的一些限制。

CNR(Commu-nicationNotwork Riser通讯网络插卡):

是AMR的升级产品,从外观上看,它比AMR稍长一些,而且两着的针脚也不相同,所以两者不兼容。CNR能连接专用的CNR-Modem还能使用专用的家庭电话网络(Home PNA),具有PC 2000即插即用功能,比AMR增加了对10/100MB局域网功能的支持。

ACR(Advanced Communication Riser高级通讯插卡):

是CNR的升级产品,它可以提供局域网,宽带网,无线网络和多声道音效处理功能,而且与AMR兼容。

SCSI(Small Computer System Interface):

的意义是小型计算机系统接口,它是由美国国家标准协会(ANSI)公布的接口标准。SCSI最初的定义是通用并行的SCSI总线。SCSI总线自己并不直接和硬盘之类的设备通讯,而是通过控制器来和设备建立联系。一个独立的SCSI总线最多可以支持16个设备,通过SCSII D来进行控制。

USB(Universal Serial Bus通用串行总线):

它不是一种新的总线标准,而是电脑系统接驳外围设备(如键盘、鼠标、打印机等)的输入/输出接口标准。是由IBM、INTEL、NEC等著名厂商联合制定的一种新型串行接口。它采用Daisy Chain方式进行连接。由两根数据线,一根5V电源线及一根地线组成。数据传输率为12MB/s。

FDD:

比IDE插槽稍短一点,专门用来插软驱。

并口:

就是平常所说的打印口,其实它并不是只能接打印机和鼠标,它还可以接MODEM,扫描仪等设备。

COM端口:

一块主板一般带有两个COM串行端口。通常用于连接鼠标及通讯设备(如连接外置式MODEM进行数据通讯)等。

PS/2口:

是一种鼠标/键盘接口,一般说的圆口鼠标就接在PS/2口上。

IRQ(INTER RUPTRE QUEST):

中断请求。外设用来向计算机发出中断请求信号。

ACPI电源接口:

是Pentium以上主板特有的一种新功能。作用是在管理电脑内部各种部件时尽量做到节省能源。

AC';97规范:

由于声卡越来越贵,CPU的处理能力越来越强大,所以Intel于1996年发布了AC97标准,它把声卡中成本最高的DSP(数字信号处理器)给去掉了,而通过特别编写驱动程序让CPU来负责信号处理,它工作时需要占用一部分CPU资源。

温度检测:

CPU温度过高会导致系统工作不稳定甚至死机,所以对CPU的检测是很重要的,它会在CPU温度超出安全范围时发出警告检测。温度的探头有两种:一种集成在处理器之中,依*BIOS的支持;另一种是外置的,在主板上面可以见到,通常是一颗热敏电阻。它们都是通过温度的改变来改变自身的电阻值,让温度检测电路探测到电阻的改变,从而改变温度示数。

三、内存篇

内存也是计算机系统里的重要配件,它的数量多少,质量好坏直接影响着整个系统的性能以及稳定性。今天,我就把关于内存的几个主要参数给大家介绍一下,希望在大家购买和使用内存的时候能够从中得到帮助。

同步动态随机存储器(Synchronous DRAM,SDRAM):

是目前主推的PC 100和PC 133规范所广泛使用的内存类型,它的带宽为64位,3.3V电压,目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换,它的工作频率是与CPU的外频同步的,不存在延迟或等待时间。

双倍速率SDRAM(Dual Date Rate SDRSM,DDR SDRAM):

又简称DDR,由于它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输,所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL,而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系,制造成本比SDRAM略高一些,但仍要远小于Rambus的价格,因为制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产,而且它也不存在专利等方面的问题,所以它代表着未来能与Rambus相抗衡的内存发展的一个方向。

接口动态随机存储器(Direct Rambus DRAM, DRDRAM):

是Intel所推崇的未来内存的发展方向,它将RISC(精简指令集)引入其中,依*高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它具有相对SDRAM较高的工作频率(不低于300MHz),但其数据通道接口带宽较低,只有16位,当工作时钟为300MHz时,Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据,因此它的数据传输率能达到300×16×2/8=1.2GB/s,若是两个通道,就是2.4GB/s。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令变化,同一组引脚线既可以被定义成地址线也可以被定义成控制线。其引脚数仅为普通DRAM的三分之一。

虚拟通道存储器(Virtual Channel Memory, VCM):

是目前大多数最新的主板芯片组都支持的一种内存标准,VCM是由NEC公司开发的一种的“缓冲式DRAM”,该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”,由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时,VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性,所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不管数据是否经过CPU处理都可以先行交于VCM进行处理,而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据,这就是为什么VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上的原因。

CL(CAS Latency):

为CAS的延迟时间,这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM(在外频为100MHz时)都能运行在CAS Latency = 2或3的模式下,也就是说,这时它们读取数据的延迟时间可以是2个时钟周期或3个时钟周期。

tCK(TCLK):

为系统时钟周期,它代表SDRAM所能运行的最大频率。数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC 100 SDRAM来说,它芯片上的标识“-10”代表了它的运行时钟周期为10ns,即可以在100MHz的外频下正常工作。

tAC(Access time from CLK):

是最大CAS延迟时的最大数输入时钟,PC 100规范要求在CL=3时tAC不大于6ns。某些内存编号的位数表示的是这个值。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。

对于PC 100内存来说,要求当CL=3的时候,tCK的数值要小于10ns、tAC要小于6ns。关于总延迟时间的计算一般用这个公式: 总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间(tAC),比如某PC 100内存的存取时间为6ns,我们设定CL模式数为2(即CAS Latency=2),则总延迟时间=10ns×2+ 6ns= 26ns,这就是评价内存性能高低的重要数值。如果PC 100、PC 133内存只使用在66MHz或100MHz总线下,应该将CAS Latency的数值设为2,这样内存无疑会有更好的性能

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五、硬盘篇

硬盘是电脑的重要储存器,我们的资料、数据、文件都是存在硬盘里。

生产硬盘的厂商不多,主要有IBM、迈拓(Maxtor)、希捷(Seagate)、西部数据(WesternDigital),还有一个昆腾(Quantum),不过已经被迈拓收购了。

硬盘的性能参数有容量、单碟容量、转速、缓存、内部和外部传输率、传输模式、寻道时间等。

除了IBM的硬盘可以放5块碟片,其它厂商的硬盘都只能放4块碟片。现在硬盘的单碟容量都是15G和20G,那么可知一块硬盘最大可达到80G以上的容量了。所以我们购买的硬盘也应该在20G以上,那么20G到底是什么概念呢?为什么不是500斤?不是7000两?让我们来看一下吧,1G=1000M,1M=1000K,1K=1000个字节,1K可以储存500个汉字或者1000个英文字母。

现在的硬盘转速分5400转和7200转两种,转速快当然好,但发热量也高,不过由于现在的技术成熟得多,这个问题已经不是问题了。

我们从硬盘提取数据和从硬盘写入数据都要经过缓存,缓存大小是硬盘外部传输率的重要参数。缓存越大越好,硬盘缓存分512K和1M、2M三种。

硬盘的内部和外部传输率并不一致,内部传输率一般为35M~50M,外部传输率却达到66M~100M,缓存写入数据到硬盘的速度就是内部传输率,缓存向外传送数据的速度就是外部传输率。

传输模式:

主要分为AIA-66/100两种。ATA-100向下兼容ATA-66。理论上ATA-100应该比ATA-66快,但并不是。因为硬盘的内部传输率低。好像我们要拉400公斤的货,用500公斤的货车或者用1吨的货车拉速度都是一样。提高内部传输率的方法只有提高单碟容量、改善硬盘的电路板设计、提高硬盘转速。

寻道时间:

磁头在碟片寻找数据所需要的时间。单位是纳秒(ms),一般为8.2ms~12ms。数值越小越好。

硬盘设计寿命一般为5年,保修一年。

IBM

IBM是硬盘的开山祖先,其它硬盘厂商都是采用IBM生产的GMR磁头。硬盘有腾龙二代系列,7200转和2M缓存,ATA-100,单碟容量只是15G,不过全部采用玻璃碟片,使磁头可以更贴近碟片,速度更快,噪音和热量都很小,是目前最好的硬盘,但价格是众多品牌中最贵。

西部数据(WesternDigital)

西部数据(以下称WD)是欧美著名品牌,也是本人最钟爱的硬盘,WD 在硬盘领域有不少记录,

第一个提出IDE接口并沿用至今,

第一个推出ATA-66接口的硬盘,

第一个推出2M缓存的硬盘,

第一个推出单碟容量20G、7200转的硬盘,

第一个推出IEEE-1394高速串行总线的硬盘。

WD硬盘电路板全部采用反装设计,减少硬盘的外观体积,是保护精密电路的最好设计。本人用过所有品牌的硬盘,感觉WD最好,启动快。同容量的硬盘用磁盘碎片整理比其它硬盘快20%以上,噪音和发热量很低。

2000年Intel在IDF-2000论坛上展示一台号称全球最快的Windows平台的PC系统,从开机到关机仅仅用了18秒。该系统就是采用WD硬盘,它可以在4.5秒内全速启动。

WD的硬盘分Caviar和Protege两种,同为2M缓存,单碟容量20G,ATA-100接口,前者7200转,后者5400转。WD并不贵,只是在国内宣传不多,所以知名度不大。

希捷(Seagate)

希捷(Seagate)主要有U系列五代和酷鱼系列,酷鱼分II、II-100和III。U系列为5400转/1M缓存,单碟容量20G,ATA-100接口。酷鱼系列均7200转和2M缓存,II和II-100的单碟容量10G,III单碟容量20G,II支持ATA-66,II-100和III支持ATA-100。

迈拓(Maxtor)

国内也叫钻石硬盘,主要有星钻一代和金钻五代,现在还出了一种美钻。钻来钻去,看得头发晕。美钻、星钻和金钻均是ATA-100接口,2M缓存,美钻5400转,单碟容量30G。星钻5400转,单碟容量20G。金钻7200转,单碟容量15G。

钻石硬盘是本人比较不喜欢的硬盘。速度慢,20G的硬盘用Fdisk分区要3分钟,WD只要30秒。钻石硬盘发热量大已是公认的了,现在连噪音也有后来居上之势。用Windows的磁盘碎片来整理,非常缓慢。

钻石硬盘对电源接口也很讲究,动不动就烧了。众多硬盘中,钻石返修率最高。也许有人说钻石的服务好,我绝对同意,如果不是返修率高的话,我们又怎么知道它的服务好?

现在的硬盘100%支持ATA-100,缓存倒是参差不齐,7200转肯定比5400转快,但实际上普通的应用中我们是感觉不到的,ATA-66和ATA-100半斤八两。我建议选购5400转以上,2M缓存,ATA-100接口的WD硬盘。

四,显卡篇

现在市场上的显卡产品可谓多种多样,性能,价格也是各不相同。对于那些对显卡产品了解不多的人来说,选购一款显卡还真是一件比较挠头的事情。这时候,人们可能就会上网找一些文章来帮助自己选择一款显卡产品。可是,通常这样的文章里面充斥着大量的显卡术语,如果不把这些术语首先弄明白的话,即使把文章看完了恐怕也是知其然而不知其所以然。所以,我今天就把一些显卡的术语简单的给大家介绍一下,希望能够帮助到那些想对显卡多一些了解的朋友。

通常来讲,一块家庭用显卡有几个关键部分是少不了的,它们是GPU,显示内存,BIOS,VGA插座,总线接口等。剩下的就是一些贴片电阻,电容,稳压MOS管,扼流线圈,视频输出,以及实现某些特殊功能的处理芯片等等,这些会根据生产厂商,显卡种类,显卡性能乃至显卡价位的不同而各

计算机如何控制keysight矢网

以下概括了通过PNA和通过PC控制GPIB设备的程序。

PNA GPIB控制配置

在PNA系统选项卡中,选择Configure - SICL/GPIB(配置-SICL/GPIB)。按照以下每张图片配置SICL/GPIB,选择“SYSTEM CONTROLLER(系统控制器)”和SICL选项。

最小化PNA应用程序(选择:View - Minimize Application(视图-最小化应用程序)}。访问安捷伦I/O程序库控制(任务栏上的蓝色“IO”图标)。选择:Run I/O Config(运行I/O配置)。此时的应用程序应该与以下图片类似。

注意“hpib7 GPIB1”是PNA的SICL名称,而“gpib0 GPIB0”是内部PNA GPIB接口的名称。如欲查阅有关配置接口的额外详细信息,请选中接口并点击“Edit(编辑)”按钮。“hpib7 GPIB1”应该参考“Internal Instrument(内部仪器)”,而“gpib0 GPIB0”应参考“GPIB Interface Connection(GPIB接口连接)”(也称作“SICL on NI GPIB”)

确认对“gpib0 GPIB0”接口进行了正确操作,并将GPIB仪器连接到PNA上。然后,通过I/O程序库控制图标(在PNA的任务栏上),执行“运行VISA助手”应用程序。应用程序应该会定位并指明PNA GPIB上所发现的仪器。

此处配置的仪器是地址为18的 E4426B。您可以使用格式化I/O选项卡,发送*IDN?来确认仪器(确保选中IEEE 488.2的无线按钮)。请注意,在左栏中的SICL名称与仪器(GPIB0)有关。

一旦连接通过验证,PNA会得到正确的配置,从而可与任何连接在GPIB接口的仪器相互连通。

远程PC GPIB控制配置(通过PC局域网连接到PNA)

以下图片是一种从远程PC上连接的安捷伦I/O控制程序库配置。PC将会从内部接入PNA和PNA的GPIB(都通过PNA局域网)。

如欲与PNA和PNA的GPIB总线相互连通,您必须在远程PC上创建2个单独的VISA局域网会话(GPIB0和GPIB1)。

GPIB0是可以同PNA GPIB总线连通的会话。远程主机名或IP地址是PNA 的IP地址,远程SICL名是我们在PNA 中所设置的Gpib0。

GPIB1是同PNA应用连通的VISA局域网会话。请注意在这种情况下,SICL名称为hpib7(与PNA I/O配置中的设置相同)。

在对远程PC的I/O进行配置后,运行Keysight VISA助手(在远程电脑上),您将会看到所有的仪器(PNA和通过GPIB连接的外部仪器)。

此处,GPIB0::18::INSTR为e4426B,而GPIB1::16::INSTR是PNA应用。参考此处的语法,在您的编程语言环境中建立VISA会话,并与仪器连通。

DWL--A型钠离子浓度计使用说明书

我有一份DWL-51型钠离子浓度计说明书,打印出来,供参考:(不足之处请向购买厂家索取)

一、仪器的概述

DWS-51型钠离子浓度计是以测量水溶液中的含Na+量而设计的,特别对电厂高纯水(如蒸汽、凝结水、锅炉给水等)的品质监督更适宜应用,其它对炉子水、天然水等也可以应用。DWS-51型钠离子浓度计是一台全集成电路式高阻抗毫伏计(以下称电计)和PNA复合电极组合而成,当PNA 电极入被测溶液时,在溶液中产生一定的电位,

此电位决定于Na+的活度,当此电位输入到电计时,就可在数显表头上直接读出PNA 数并可从表上查得Na+含量。

二、仪器的主要技术规范

1. 仪器的测量范围

(1) 电计部分:PNa:0-9;Na+:23g/I-0.023μg/I

(2) 配套测量:(按电极性能而定)PNa+:I-7;Na+:2.3g/I-2.3μg/I

2. 仪器的最小分度值:0.01PNa

3. 精度:

(1) 电计:≤±0.02PNa/3PNa

(2) 配套:±0.05PNa±1个字

4. 仪器使用环境温度:5-40℃、湿度不大于85%

5. 电源电压变化:220V±10% 频度50HZ±1HZ

6. 被测溶液温度范围:0-60℃(手动)

7. 耗电量:<1瓦

8. 体积:长280,宽200,高95

三、仪器的使用方法

PNa 测量:用PNa 玻璃电极测量水溶液的PNa 值,他和PH 值测量的相同点是一样就必须以一个已知的标准液进行定位,也就是定位调节一个相同电压抵消指示电极和参比电极之间的不对称电位,和PH测量不同点是标准PNa溶液无缓冲作用。要防止容器污染,另外特别是氢离子也会引起干扰。因此在测量时要另加碱试剂,如二异丙胺或氢氧化钡。由于这些特点,对测量方法要求比较严格

1. 标准溶液的配制:

在一般的实际测定中,各种标准Na+溶液的配制,可不必专门制备高纯水(俗称“无钠水”),选择质量;较好的蒸汽或凝结水,其Na+<5~10微克/升已能满足要求。各种标准液应储放在聚乙烯塑料筒内。新购买的塑料筒应用盐酸处理(浓度约为1:2),然后用蒸馏水多次冲洗干净。各塑料筒应作专用,不宜经常更换不同浓度的标准液(因普通2.5升及6 升的塑料筒,水提柄中为空心,不易清洗干净)。在对蒸汽等低含量的测定中,PNa的定位一般采用PNa4或PNa5溶液。PNa5溶液较为接近于实际测定的含量,但有时因蒸馏水质量不够好,或防止其它原因所引起的污染,故一般较多地采用PNa溶液来定位。

(1) PNa2母液的配制:称取1.1690克经250-300℃干燥1~2小时的化学纯或基准试剂NAC1,溶解于2升蒸馏水中,即为PNa2标准液(即0.01M Na+ 或230PPM Na+ 溶液)。

(2)PNa4标准定位液的配制:将上述母液用蒸馏水稀释100倍即为PNa4 定位液(即0.0001M Na+ 或2.3ppm Na+ 溶液)。必要时可将上述母液稀释成各种不同浓度的Na+溶液。

7. 仪器在测量低于PNa3 时,应修正活度系数,PNa3 应是3.015、PNa2 应是2.045、PnaI 应是1.109,尽量应把溶液稀释后测量。

五、附录

1. 高纯水(俗称“无钠水”)的制备:

仪器用的定位溶液(相似于PH计定位用的缓冲溶液)或检验其线性用的标准盐溶液,都需要用高纯度的“无钠水”来配制。制备高纯水用的盛水容器以及测试用的杯子、量具等均用聚乙烯或有机玻璃等材料制成,一般需要用一升塑料瓶,5-20升聚乙烯水箱(需有螺旋盖),250毫升塑料烧杯等,新购塑料用具应用盐酸处理作专用,不用时最好放满纯水。“无钠水”的制备方法是用蒸馏水,通过阳离子(国产732树脂)交换柱,再进入阴离子(717树脂)交换柱,再通过阳阴混合,最后流过阳离子交换

柱出水,用PNa计测定Na+约1ppb时(PNa7.5左右)。流经交换柱的速度应慢一点,约10米/小时以上,不宜太快(如流速过快表面上可使导电率读数减小。但用PNa法测定时实际Na+离子反而偏大。原因是高流速时流树脂中的可溶性比例相应降低,交换并不彻底)。制成的“无钠水”应放入专用的塑料水箱内用旋塞盖紧,避免大气及其它污染。

2. PNa-Na+读数的关系表: 表1

四.使用仪器注意事项

1. 新购的PNa 电极或久置不用的电极,需用蘸有四氯化碳和酒精的棉花擦净,再用水冲洗,浸泡在5% 的HCI 中15-20 分钟,然后用蒸馏水洗净,再浸泡在0.01M 的NaCI 溶液中数小时,使电极有良好性能,但不宜浸泡时间过长。

2. 电极敏感膜不要与手指油腻等接触以免污染电极,电极敏感玻璃膜很薄、要注意勿触及硬物、防止破裂。

3. PNa 电极的使用寿命尚无完全结论,按目前使用的情况,一般为壹年至壹年半,如超过此时间尚可应用,但定位时间将大为增加,测定时反应亦较迟钝,一般定位时间超过10 分钟,读数还在缓慢漂动,则说明电极衰老反应迟钝,应更换新电极。

4. 在测定极微量钠含量时,容器及电极的支管的污染往往是造成测量误差的主要原因,因此在每次测量前均要用纯水冲洗干净,然后再用试样(或稀标准液)反复冲洗电极4-5 次(不要用过滤纸去吸电极上的水珠)。每当测定过浓度的溶液,必须将电极仔细清洗干净后,浸在纯水中让其恢复,否则也会对测试结果带来误差。

5. 当水样温度低于20℃ (特别在15℃ 以上时),PNa 的反应数度较慢。因此读数时间要适当延长,并且会增加误差,水温越高反应速度也越快。

6. 如被测溶液为酸性,则应增加二异丙胺或Ba(OH)2 的加入量,使PH值在10.2 左右。在配制PNax4 标准液时,有时会带来少量误差,因此最好固定使用一套较好的量瓶及移液管,并保证清洗干净,不受污染。在精密的测定中(一般不必如此)可用重量法配制,即将2升容量瓶在天平上(应准确至0.1克)称取2000克水,这可避免容量瓶因室温变化等原因所引起的容积误差。

2.碱性试剂的配制:

碱性试剂加入的目的是使被测水样PH 达到9.5以上,最好在10.0-10.5的范围内以避免水样中氢离子对PNa 测定造成的干扰。碱性试剂的选择应挑选碱性强、纯度高、其阳离子对PNa 电极无影响的物质以便只要加入极少量即能使水样达到所需的PH 值,目前采用的碱性试剂有二种:0.2M 二异丙胺及饱和氢氧化钡溶液。

(1)0.2M 二异并胺溶液:市售试验试剂二异丙胺((CH3)2CNNHCHCCH3)2,(分子量101.19,含量不少于98%,比重d4200.712-0.717,浓度约为6.9M) 3毫升,用蒸馏水或无钠水稀释至100 毫升。储存于塑料小壶中。二异丙胺极易挥发,用后应立即盖紧,特别是浓的二异丙胺应防止浓度改变。稀的二异丙胺不宜配制过多,最好作定期更换。

(2)饱和Ba(OH)2 的溶液:Ba(OH)2 试剂中含有较多的Na+ ,故在使用前应再结晶一次。称取分析纯Ba(OH)2.8H2O 约30克,溶解于200毫克蒸馏水或无钠水中,加热溶解,待冷却后取出结成晶部分。将此结晶和另取无钠水混合配制成饱和溶液,盛放于塑料瓶中。待澄清后将表面溶液吸取于塑料小壶中以待使用。(Ba(OH)2.8H2O在15℃时的溶解度为5.6/100毫升水。饱和Ba(OH)2溶液的浓度约为0.18M。)在使用时,100 毫升水样中(中性水样)加入1 滴饱和Ba(OH)2 溶液,pH值可达到10.2 ,同样加入2 滴0.2 M二异丙胺,其pH 为10.0 左右。

3.仪器安

电计和测量杯必须放在塑料绝缘板上,周围无交流磁场,仪器电源应良好接地以防止干扰,先将PNa 复合电极的插头插入仪器后面板上的电极插座上,并安装在电极支架上,注意:在使用前应把PNa 复合电极浸泡1-2 小时以活化电极,电极插头要保持清洁干净,切记污物接触。

4. 测量准备

(1) PNa/mv 转换开关板至PNa 档上,

(2) 温度调节在标准溶液的温度值上,

(3) 斜率调节器在100% 处

5. 定位

由于Na+ 标准溶液不同于PH 缓冲溶液,它容易受到污染和其它离子干扰,因此在方法上不正确,就会造成很大的人为误差,特别是在定位时要按步骤进行。

(1) 按前面溶液配制方法配制PNa4 标准溶液数立升,作定位液,将要用的塑料试杯仔细清洗并编号,使浓度不同的用具不混来使用,以防止污染。(配制好的标准溶液没有加过碱性试剂,则可以预先加好,或在使用时加也可以。碱性试剂是二异丙胺或氢氧化钡,加入后使PH 值在10 左右,以防止氢离子干扰)。

(2) 新的玻璃电极可以用四氯化碳擦去支管和插头上的污染物。

(3) 检查玻璃电极球泡内溶液和内电极(即银氧化银电极)接触两者之间应无气泡存在。

(4) 如定位液未加碱性试剂,则应在清洗好的塑料杯中加入一滴饱和氢氧化钡溶液或二滴0.2M 二异丙胺,再加入定位液约100 毫升,将电极球部清洗,这样重复换溶液清洗三或四次,然后再换PNa4 溶液放在塑料绝缘板上。

(5) 把安装好的PNa 复合电极移下,使球泡和甘汞陶瓷芯浸入溶液内,水样不再摇动。

(6) 仪器读数逐渐变化,调节定位调节器使读数接近4.00 值,待2-3 分钟后、读数逐渐达到最大值,在1-2 分钟内,没有明显变动或或变小,立即调节定位调节器至4.00。

(7) 倒去此定位液再复定位1-2 次,如复定位相差较大,则需继续调整定位器,调节直至复定位后误差不超过PNa4.00±0.02 。

6. 电极的清洗

由于电极定位时水样浓度较高,因此在定位过后测量水样含钠量低时,应用蒸馏水或无钠水(加好碱性试剂)对电极进行清洗,(一般要清洗4-5次),清洗到读数值接近被测值左右。

7. 测量

(1) 同定位方法,在塑料杯中加入一滴饱和氢氧化钡,再加水样约100毫升。

(2) 将电极球部浸入被测溶液中(甘汞陶瓷芯也浸入)。

(3) 仪器读数逐渐增大,1-2 分钟达到最大值,读数应读最大值。

8. 二点校正

4~6 条为一点校正的测量方法,使用一种标准溶液(PNa4),而二点校正的测量方法、使用二种标准溶液,例如PNa4和PNa5,校正步骤如下:

(1) 清洗PNa 复合电极(同第5条)温度调节器指示溶液的实际温度值选择开关拨至PNa 档。

(2) PNa 复合电极浸入第一标准溶液(PNa4),调节定位器使仪器读数为PNa4.00±0.02。

(3) 清洗PNa 复合电极(4~5次)。

五、附录

PNa与Na+含量的对照表(以Na+的活度系数f=1.00计算) 表2

在实际使用中,读得PNa数的首数,可根据表1的确定其Na+离子含量的

数量级,尾数查表2确定其数值。

例如:仪表上读出PNa值为3.24,即知道Na+含量应在23ppm和2.3ppm之间,然后尾数查表2,得出:PNa3.24=13.2ppm Na+PNa6.76=4.0ppb Na+

3. 电极的存放

PNa电极如较长时期不用,究竟是干放还是湿放,目前尚未得出结论,一般的意见是以干放为宜(使用中的电极应用蒸馏水冲洗后干放)。或较稀的溶液中,则初步看来对电极的寿命是不利的。干放的电极在使用前应在PNa4定位液中浸泡1-2小时。

3条大神的评论

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    访客 2022-07-11 下午 07:18:06

    支持+5.0V,+12V,-5V,-12V电压,它不支持+3.3V电压。 ATX电源:ATX电源是ATX主板配套的电源,为此对它增加了一些新作用;一是增加了在关机状态下能提供一组微电流(5V/100MA)供电

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    访客 2022-07-11 下午 03:28:53

    及测试用的杯子、量具等均用聚乙烯或有机玻璃等材料制成,一般需要用一升塑料瓶,5-20升聚乙烯水箱(需有螺旋盖),250毫升塑料烧杯等,新购塑料用具应用盐酸处理作专用,不用时最好放满

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    访客 2022-07-11 下午 02:46:57

    奔腾II而设计的一种CPU插座,它是一狭长的242针脚的插槽,提供更大的内部传输带宽和CPU性能。 Socker 370:INETL为赛扬系列而设计的CPU插座,成本降低。支持VRM8.1规格,核心电压2.0V左右。 Socker 370 II:INET

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